檢索結果：共39筆資料 檢索策略： "Thin film".ekeyword (精準) and ckeyword.raw="薄膜"
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近年來，有越來越多人開始投入太陽能電池的研究，因此技術進步的很快，目前研究雖然都有不錯的轉換效率，但由於成本高昂，故一直無法普及，因此找尋新的材料來壓低太陽能電池成本是必需的，然而在各種新材料被研究…
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本研究是利用磁濺鍍方式將單層鉭(Tantalum)薄膜沉積於Corning 0211玻璃基板上。樣品製備完畢，隨後進行PSC應力分析儀分析試片曲率半徑，進而計算薄膜應力值；奈米壓痕試驗儀得到薄膜楊氏…
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此實驗使用反應式離子束濺鍍法沉積摻氮氧化鋅薄膜，採用陽極層離子源，以鋅為靶材，同時通入氬氣、氧氣及氮氣，探討氧/氮流量對摻氮氧氧化鋅薄膜的特性影響。實驗結果顯示在氧流量0.5 ~ 4.0 sccm，…
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本研究主旨分為兩個部分，包含VO2 薄膜及V1-XTiXO2 粉末的性質之研究。VO2 主要應用在玻璃上來當作節能的材料；高透光性且具備節能功能的玻璃窗以成為現今重要的主題。第一部分，玻璃基材經由O…
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近年可撓式以及透明之感測元件應用越來越廣，因此，本研究以透明導電薄膜AZO，搭配PVDF鐵電高分子披覆之PET可撓式基板，製作可撓式透明感測元件，並研究其鐵電、壓電、介電及可見光穿透性。 本…
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為探究使用反應式真空濺鍍機製備氮化鋁銦鎵薄膜的制程，與分析此制程下沉積之薄膜的性質。此論文設定兩組不同鋁銦比例的靶材，一組靶材包含摩爾百分比固定5%鋁，銦含量從7.5%、15%、25%的三個陶金靶，…
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隨著半導體製程技術的演進，銅已被廣泛作為內連線材料，由於具有較低的電阻率和較好的抗電致遷移能力。然而，銅與介電層存在著附著力的問題，且低溫下，銅便會與矽產生反應，此銅矽物在IC結構中，會造成元件失效…
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中文摘要 本論文研究在氧化鋁基材上利用網印法塗佈高溫銀膠，經高溫燒結後作為電極，接著以真空磁控濺鍍法於其上成長鈷薄膜，再於不同氣氛下以加熱板直接加熱使其表面產生微奈米結構氧化鈷，以提高其比表面積，製…
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本研究已成長高品質氮化銦(InN)薄膜在氮化鎵(001)的基板上，利用高解離性的氮源(HN3)來當化學束磊晶技術來成長薄膜。成長薄膜特性分析儀器使用：高解析度場發射掃描電子顯微鏡(FE-SEM)、高…
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光譜儀系統中，根據光柵方程式將入射光分光後，偵測器上會產生高階光波干擾，二階線性漸變濾波器(second-order Linear Variable Filter, LVF)目的為濾除光譜儀系統中光…